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三相工控繼電保護(hù)校驗(yàn)儀頻率及高低周試驗(yàn)方法

更新時(shí)間: 2022-11-28   點(diǎn)擊次數(shù): 1018次

三相工控繼電保護(hù)校驗(yàn)儀頻率及高低周試驗(yàn)方法:

 “頻率及高低周試驗(yàn)”測(cè)試模塊主要是用來(lái)測(cè)試低周減載和高周切機(jī)等保護(hù)的各項(xiàng)功能。根據(jù)其功能,將這個(gè)模塊分成了六個(gè)測(cè)試單元。

l 測(cè)試項(xiàng)目全面,包含了幾乎所有的頻率及高低周保護(hù)

l 頻率可以下滑進(jìn)行低周減載測(cè)試,也可以上滑進(jìn)行高周試驗(yàn)

第一節(jié)   界面說(shuō)明

¢ 測(cè)試項(xiàng)目

有“動(dòng)作頻率”、“動(dòng)作時(shí)間”、“df/dt閉鎖”、“dv/dt閉鎖”、“低電壓閉鎖”以及“低電流閉鎖”等六個(gè)測(cè)試項(xiàng)目。根據(jù)需要,可以選擇其中的一個(gè)或者多個(gè)進(jìn)行試驗(yàn)。選擇多個(gè)測(cè)試項(xiàng)目時(shí),在一個(gè)測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試完畢后,會(huì)彈出相應(yīng)對(duì)話(huà)框提示是否進(jìn)行下一個(gè)測(cè)試項(xiàng)目。

測(cè)試對(duì)象名稱(chēng)中包含“低周保護(hù)”、“頻率繼電器”、“差頻繼電器”、“低頻繼電器”以及“高頻繼電器”五種繼電器。默認(rèn)情況下選擇“低周保護(hù)”。其下拉菜單如圖所示:

¢ 試驗(yàn)參數(shù)

—  頻率變化前延時(shí)

在變量的每個(gè)變化過(guò)程中,裝置先以額定頻率50Hz輸出,維持至“頻率變化前延時(shí)”結(jié)束,然后再開(kāi)始變化。該項(xiàng)在有些保護(hù)測(cè)試是非常有用,可以用來(lái)等待保護(hù)頻率閉鎖后解除閉鎖。

—  測(cè)試間斷時(shí)間

每一次試驗(yàn)結(jié)束后裝置將停止輸出至“測(cè)試間斷時(shí)間”結(jié)束,再進(jìn)入下一次試驗(yàn)。

—  整定值

各測(cè)試功能頁(yè)中均有整定值輸入框,這些整定值大多在試驗(yàn)期間并不起作用,只是在試驗(yàn)后起到參考對(duì)比作用。根據(jù)需要自行設(shè)定“允許誤差”。試驗(yàn)測(cè)得的“測(cè)試值”與“整定值”進(jìn)行比較后,得出一個(gè)相對(duì)誤差,從而反映保護(hù)的性能。

¢ 動(dòng)作頻率

—  動(dòng)作頻率測(cè)試范圍

動(dòng)作頻率測(cè)試范圍的測(cè)試始值和終值均應(yīng)設(shè)置在動(dòng)作頻率附近。三相工控繼電保護(hù)測(cè)試儀測(cè)試始值應(yīng)大于保護(hù)整定動(dòng)作值,測(cè)試終值小于整定動(dòng)作值,

動(dòng)作頻率的測(cè)試方法:測(cè)試時(shí)頻率分兩階段變化:開(kāi)始以50Hz輸出,經(jīng)過(guò)變化前延時(shí)后,先按所設(shè)定的df/dt均勻下滑(或上滑)至測(cè)試始值頻率,然后按設(shè)定的步長(zhǎng)以一定時(shí)間間隔逐格降低(或上升)頻率,在該過(guò)程中如保護(hù)動(dòng)作,則測(cè)出動(dòng)作值。如未動(dòng)作,當(dāng)變化至測(cè)試終值,即認(rèn)為保護(hù)不會(huì)動(dòng)作而結(jié)束該項(xiàng)目測(cè)試。

這里逐格變頻的時(shí)間間隔是根據(jù)整定的動(dòng)作時(shí)間自動(dòng)確定的,該時(shí)間間隔比整定動(dòng)作時(shí)間長(zhǎng)0.2S。故整定動(dòng)作時(shí)間應(yīng)設(shè)置正確,以保證在變化時(shí)間間隔內(nèi)保護(hù)有足夠時(shí)間可以動(dòng)作。

做低周減載試驗(yàn)一般測(cè)試范圍小于50Hz,做高周切機(jī)試驗(yàn)一般測(cè)試范圍大于50Hz。

例如:已知低周動(dòng)作值為48.5Hz,可以設(shè)定測(cè)試范圍為48.7—48Hz,步長(zhǎng)為0.05Hz。測(cè)試始值和終值不能設(shè)置得太?。ㄒ话銘?yīng)不低于45Hz),否則保護(hù)將閉鎖。

¢ 動(dòng)作時(shí)間

動(dòng)作時(shí)間測(cè)試的方法:頻率從始值(一般為50Hz)下滑至終值并等待動(dòng)作。該終值應(yīng)略小于動(dòng)作頻率值以確保裝置動(dòng)作,但測(cè)試動(dòng)作時(shí)間的計(jì)時(shí)器是從所設(shè)定的“開(kāi)始計(jì)時(shí)點(diǎn)的頻率”處開(kāi)始計(jì)時(shí),故該值若有偏差將影響時(shí)間測(cè)量精度。試驗(yàn)過(guò)程見(jiàn)右圖。

—  開(kāi)始計(jì)時(shí)的頻率點(diǎn)

測(cè)動(dòng)作時(shí)間時(shí),應(yīng)特別注意正確設(shè)置“開(kāi)始計(jì)時(shí)點(diǎn)的頻率”。一般設(shè)置為裝置整定的動(dòng)作頻率,或測(cè)試出的準(zhǔn)確動(dòng)作頻率值。

¢ df/dt閉鎖

—  df/dt測(cè)試范圍

測(cè)試“df/dt閉鎖值”時(shí),在此范圍內(nèi)逐點(diǎn)進(jìn)行試探測(cè)試,每次測(cè)試時(shí)都從頻率始值下滑(或上滑)至終值,下滑(或上滑)的df/dt值在該范圍內(nèi)逐點(diǎn)變化,試探至某一輪試驗(yàn)至保護(hù)動(dòng)作,則測(cè)出此時(shí)的df/dt閉鎖的邊界值。

因?yàn)楸Wo(hù)在大于整定的df/dt值下滑時(shí)閉鎖,所以,一般變化始值應(yīng)設(shè)置為大于保護(hù)整定的閉鎖值,變化終值應(yīng)設(shè)置為小于保護(hù)整定的閉鎖值,即測(cè)試保護(hù)從不動(dòng)作到動(dòng)作,測(cè)出保護(hù)的df/dt閉鎖值。

—  頻率變化范圍

每輪試驗(yàn)頻率從始值下滑(或上滑)至終值。始值一般為50Hz,三相工控繼電保護(hù)測(cè)試儀變化終值不能設(shè)置太小,因?yàn)橐话阊b置都有一個(gè)固有的“閉鎖頻率”,頻率太低了,裝置將會(huì)被閉鎖不出口。

注意:

做該試驗(yàn)時(shí)頻率變化前延時(shí)一般不能太小,以使保護(hù)有足夠時(shí)間解除閉鎖狀態(tài)。

¢ dv/dt閉鎖

這個(gè)測(cè)試頁(yè)與上文中的“df/dt閉鎖”很相似,區(qū)別在于每輪測(cè)試變化的是dv/dt值。下面只對(duì)它們的不同點(diǎn)做介紹。

—  dv/dt測(cè)試范圍

測(cè)試“dv/dt閉鎖值”時(shí)在此范圍內(nèi)逐點(diǎn)進(jìn)行試探測(cè)試,每次測(cè)試時(shí)電壓都從電壓變化始值下滑至終值,下滑的dv/dt值在該范圍內(nèi)逐點(diǎn)變化,試探至某一輪試驗(yàn)如果保護(hù)動(dòng)作,則測(cè)出dv/dt閉鎖的邊界值。

因?yàn)檠b置在大于整定的dV/dt閉鎖值時(shí)處于閉鎖狀態(tài),所以,一般變化始值應(yīng)設(shè)置為大于裝置整定的閉鎖值,變化終值應(yīng)設(shè)置為小于裝置整定的閉鎖值。即試驗(yàn)從裝置不動(dòng)作做到動(dòng)作,從而測(cè)出裝置的dv/dt閉鎖值。

—  電壓變化范圍

為了模擬電壓下降的過(guò)程,一般應(yīng)設(shè)電壓的“變化始值”大于“變化終值”。同時(shí),為了保證低周裝置不因低電壓而閉鎖,因此設(shè)置的電壓“變化終值”應(yīng)大于裝置定值菜單中整定的低電壓閉鎖值。

—  測(cè)試時(shí)df/dt值

在此測(cè)試單元里頻率總是按所設(shè)置的df/dt變化,因此設(shè)置df/dt時(shí),應(yīng)保證其值小于裝置所整定的df/dt閉鎖值。

¢ 低電壓閉鎖

該頁(yè)與上文中的“df/dt閉鎖”和“dv/dt閉鎖”相似。下面僅介紹不同點(diǎn)。

—  電壓測(cè)試范圍

測(cè)試時(shí)電壓在此范圍內(nèi)逐點(diǎn)進(jìn)行試探測(cè)試,每輪測(cè)試時(shí)頻率變化,但電壓固定為某一值。電壓值從始值逐漸增加,至某一值時(shí)裝置解除閉鎖正確動(dòng)作,則該值即為低電壓閉鎖邊界值

由于裝置在電壓小于閉鎖值時(shí)處于閉鎖狀態(tài),故一般變化始值應(yīng)設(shè)置為小于裝置整定的閉鎖值,變化終值應(yīng)設(shè)置為大于裝置整定的閉鎖值。即試驗(yàn)從裝置不動(dòng)作到動(dòng)作,從而測(cè)出裝置的低電壓閉鎖值。

¢ 低電流閉鎖

該測(cè)試頁(yè)與“低電壓閉鎖”試驗(yàn)方法非常相似。現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)時(shí),請(qǐng)參考“df/dt閉鎖”、“dv/dt閉鎖”和“低電壓閉鎖”中的使用說(shuō)明。

 

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